3nm不上GAA 坚持FinFET技术 台积电:最佳成本选择
2022-01-13 18:45:47  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

3nm节点,三星为了跟台积电竞争,激进地选择了下一代的GAA晶体管技术,台积电方面更稳妥一些,第一代3nm工艺依然在使用FinFET工艺,好处是今年下半年就可以量产。

在今天的财报会上,台积电也解释了他们的3nm工艺的进展,强调3nm工艺发展顺利,正按照计划在下半年量产。

台积电强调,3nm继续使用FinFET晶体管是综合考虑在,能提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本。

据台积电官方资料显示,台积电的3nm相比上一代的5nm工艺,在逻辑密度上提升了1.7倍,性能提升了11%,同等性能下功耗可降低25-30%。

此外,台积电也透漏了增强版的3nm工艺N3E,称它会在3nm工艺量产一年后量产,也就是在2023年推出,会带来更强的性能。

不过台积电对N3E的技术细节还是保密,没有透漏是否会升级晶体管架构。

3nm不上GAA 坚持FinFET技术 台积电:最佳成本选择

- THE END -

转载请注明出处:快科技

#台积电#3nm

责任编辑:宪瑞

文章价值打分
当前文章打分0 分,共有0人打分
文章观点支持

+0
+0